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厂商型号

MRF8S9200NR3 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 70V 3-Pin OM-780 EP T/R

内部编号

146-MRF8S9200NR3

#1

数量:0
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美国加州
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MRF8S9200NR3产品详细规格

规格书 MRF8S9200NR3 datasheet 规格书
MRF8S9200NR3 datasheet 规格书
MRF8S9200NR3 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 250
晶体管类型 LDMOS
频率 940MHz
增益 19.9dB
电压 - 测试 28V
额定电流 10µA
噪声系数 -
电流 - 测试 1.4A
Power - 输出功率 58W
电压 - 额定 70V
包/盒 OM-780-2
供应商器件封装 OM-780-2
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3OM-780 EP
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 70 V
最大门源电压 -6|10 V
工作温度 N/A to 225 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
供应商封装形式 OM-780 EP
最大频率 960
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 225
输出功率 58
Typical Drain Efficiency 37.1
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
典型功率增益 19.9
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -65
最大漏源电压 70
引脚数 3
晶体管类型 LDMOS
电压 - 额定 70V
供应商设备封装 OM-780-2
电压 - 测试 28V
频率 940MHz
增益 19.9dB
封装/外壳 OM-780-2
电流 - 测试 1.4A
额定电流 10µA
功率 - 输出 58W
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
安装风格 SMD/SMT
产品种类 Transistors RF MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 10 V
系列 MRF8S9200N
单位重量 0.108683 oz
输出功率 58 W
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 70 V
RoHS RoHS Compliant

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